SVG 动态无功补偿装置的基本原理就是将自换相桥式电路通过电抗器或变压器并联在电网上，适当的调节桥式电路交流侧输出电压相对系统电压的相位和幅值，迅速吸收或发出满足要求的无功电流，实现快速动态无功补偿的目的。其基于 VSC(Voltage Source Converter, 电压源变流器 ) 的结构实现了无功补偿方式质的飞跃，不需采用大容量的电容、电感器件，而是通过可关断大功率电力电子器件 IGBT 将直流侧电压转换成交流侧与电网同频率的输出电压，实现无功能量的交换，补偿基波无功。





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可是可控硅控制模块容积非常大，只能临时性固定不动在外面，压根装不进外壳里去。下面搞大批量生产情况下，一算成本费，提升了一倍，变成 那时候贵的复合开关，并且只有投切30~40kvar的电容器（如今可控硅单通道能够 投切400kvar）。只能。如今销售市场上各种各样复合开关许多，依然在市场销售。可是拆卸看一下就知道，沒有可控硅，仅有磁维持汽车继电器，与接触器沒有大的差别。智能化电容器智能化电容器的投切电源开关与复合开关是一样的配备，特性当然也一样。可控硅投切可控硅投切电容器早发展趋势与90年代末，远早于复合开关以前。钢材大发展趋势之时，直流电变速机器设备导致的谐波电流环境污染比较严重危害了电力网的安全性运作。

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              我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容;二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦(decoupling)电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻(特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹)，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是耦合。去耦电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。去耦和旁路都可以看作滤波。去耦电容相当于电池，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。去耦电容一般都很大，对更高频率的噪声，基本无效。旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性。

西安电容器回收厂家一般都能够当做一个RLC串连实体模型。在某一頻率，会产生串联谐振，这时电容的特性阻抗就相当于其ESR。假如看电容的頻率特性阻抗趋势图，便会发觉一般全是一个V形的曲线图。实际曲线图与电容的物质相关，因此挑选旁通电容还需要考虑到电容的物质，一个较为商业保险的方式 便是多并好多个电容。去耦电容在集成电路开关电源和地中间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁通掉该元器件的高频率噪声。数字电路设计中典型性的去耦电容值是0.1μF。这一电容的遍布电感器的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的遍布电感器，它的并行处理共振频率大概在7MHz上下，换句话说，针对10MHz下列的噪声有不错的去耦实际效果，对40MHz之上的噪声基本上失灵。1μF、10μF的电容，并行处理共振频率在20MHz之上，除去高频率噪声的实际效果好些一些。每10片上下集成电路得加一片蓄电池充电电容，或一个蓄能电容，可选10μF上下。

大西安电容器回收厂家旁为何还需要串联一只小电容?电源滤波电路中常常会见到,一大一小的2个电容串联一起应用。为何要那样？这个问题要从电容的结构谈起,做为电源过滤的电容大部分全是应用电容量很大的电解法电容器,这类电容器的结构一般是选用双层卷绕的方法制做，双层卷绕的电导体在頻率较高的电源电路里都是会造成一定的电感，这一电感对电源电路的危害等效于给该电容串连到了一个电感器，而电感对高频率数据信号的特性阻抗是非常大的。因此 ，大空间电解法电容对高频率数据信号的根据耐热性不太好。而一些小容积电容正好相反，例如瓷砖电容，全是平台式的电容的结构，这类结构防止了因电导体卷绕而造成的电感，那样它就拥有非常好的高频率根据特性。因而，在避免 高频率影响的电源滤波电路中，都是会选用大电容旁再并上一个小电容的方法。