电力电容器的安全运行

　　5.1允许运行电流

　　正常运行时,电容器应在额定电流下运行,*大运行电流不得超过额定电流的1.3倍,三相电流差不超过5 %。

　　5.2允许运行电压

　　电容器对电压十分敏感,因电容器的损耗与电压平方成正比,过电压会使电容器发热严重,电容器绝缘会加速老化,寿命缩短,甚至穿。因此,电容器装置应在额定电压下运行,一般不宜超过额定电压的1.05倍,*高运行电压不宜超过额定电压的1.1倍。当母线超过1.1倍额定电压时,须采取降温措施。

　　5.3谐波问题

　　由于电容器回路是一个LC电路,对于某些谐波容易产生谐振,易造成高次谐波,使电流增加和电压升高。且谐波的这种电流对电容器非常有害,极容易使电容器击穿引起相间短路。因此,当电容器在正常工作时,在必要时可在电容器上串联适当的感抗值的电抗器,以限制谐波电流。

           台湾电容器回收价格能自愈吗？电容器如果能够自愈，则其可以快速恢复工作，保障用户供电和生产的持续性和安全性，这对于用户而言是很重要的。目前低压电力电容器，主要采用金属化薄膜台湾电容器回收价格，即以金属化聚薄膜为基础材料生产的台湾电容器回收价格，以这种材料生产的电容器都是具有自愈特性的。因此：目前的大部门低压电力台湾电容器回收价格都是金属化薄膜电容器，金属化薄膜电容器是自愈式电容器。补充：自愈是啥意思呢？当金属化薄膜电容器介质击穿（内部故障）时，短路电流会使击穿部位周围的金属膜融化蒸发，从而恢复绝缘（即电容器恢复正常工作状态）。

电容器在运行过程中,如出现电容器内部元件击穿、电容器对外壳绝缘损坏、密封不佳和漏油、鼓肚和内部游离、鼓肚和内部游离、带电荷合闸或是温度过高、通风不佳、运行电压过高、谐波分量过大、操作过电压等情况,都有可能引起电容器损坏。为预防电容器事故,正常情况下,可根据每组相电容器通过的电流量的大小,按1.5倍～2倍,配以快速熔断器,若电容被击穿,则快速熔断器会熔化而切断电源,保护电容器不会继续产生热量;在补偿柜上每相安装电流表,保证每相电流相差不超过±5%,若发现不平衡,立即退出运行,检查电容器;监视电容器的温升情况;加强对电容器组的巡检,避免出现电容器漏油、鼓肚现象,以防。

　　综上所述,无功补偿技术是提高电网供电能力、减少电压损失和降低网损的一种有效措施。电力电容器具有无功补偿原理简单、安装方便、投资小,有功损耗小,运行维护简便、等优点。因此,在当前,随着电力负荷的增加,要想提高电网系统的利用率,通过采用补偿电容器进行合理的补偿,是能够提高供电质量并取得明显的经济效益的。

并不是一个自开启电源电路、一个光电耦合器开启电源电路就能处理好的难题。如今销售市场上可控硅开关、动态补偿开关等全是走的简单化电源电路，追求的是成本低，关键投切30kvar尺寸的电容器。这类投切开关，对电容器的使用寿命依然危害比较严重，电容器的摘除过电压达到2000V，可控硅开关品质不容易开朗，设备故障率很高。计划方案可控硅投切电容器，涉及到电力电子技术的高精密过零技术性，投切全过程中还需要浪涌电压、过电压的难题。高精密过零、动态性充放电、暂态维护这三个技术性困难不太好，设备故障率仍会持续上升。处理好这三个难题，电容器会遭受非常好的维护，比别的投切方法会增加一倍的使用寿命。处理不太好这三个难点，快速熔断器就撤销不上，公司客户经常拆换快速熔断器，花费是承受不住的。

这也是为什么许多线路板在高频率器件VCC引脚处置放小电容的缘故之一（在vcc脚位上一般串联一个去藕电容，那样沟通交流份量就从这一电容接地装置。）配备标准以下：开关电源键入端跨接线一个10～100uF的电解电容器，假如印制电路板的部位容许，选用100uF之上的电解电容器的抗干扰性实际效果会更好。为每一个集成电路芯片芯片配备一个0.01uF的瓷器电容器。如碰到印制电路板室内空间小而放不进时，可每4～10个芯片配备一个1～10uF钽电解电容器，这类器件的高频率特性阻抗尤其小，在500kHz～20MHz范畴内特性阻抗低于1Ω，并且泄露电流不大（0.5uA下列）。针对噪音工作能力弱、关闭时电流量转变大的器件和ROM、RAM等储存型器件，应在芯片的电源插头（Vcc）和接地线（GND）间立即连接去耦电容。去耦电容的导线不可以太长，尤其是高频率旁通电容不可以带导线。

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台湾电容器回收价格一般都能够当做一个RLC串连实体模型。在某一頻率，会产生串联谐振，这时电容的特性阻抗就相当于其ESR。假如看电容的頻率特性阻抗趋势图，便会发觉一般全是一个V形的曲线图。实际曲线图与电容的物质相关，因此挑选旁通电容还需要考虑到电容的物质，一个较为商业保险的方式 便是多并好多个电容。去耦电容在集成电路开关电源和地中间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁通掉该元器件的高频率噪声。数字电路设计中典型性的去耦电容值是0.1μF。这一电容的遍布电感器的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的遍布电感器，它的并行处理共振频率大概在7MHz上下，换句话说，针对10MHz下列的噪声有不错的去耦实际效果，对40MHz之上的噪声基本上失灵。1μF、10μF的电容，并行处理共振频率在20MHz之上，除去高频率噪声的实际效果好些一些。每10片上下集成电路得加一片蓄电池充电电容，或一个蓄能电容，可选10μF上下。